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隨著人工智能浪潮席卷全球，數(shù)據(jù)中心對高功率、高密度電源的需求日益迫切。在這場技術(shù)競逐中，氮化鎵（GaN）功率器件被譽為“下一代功率半導體”，卻因柵極可靠性不足、制造工藝尚不成熟等瓶頸，長期受限于中低功率領(lǐng)域，難以在千瓦級高密度電源系統(tǒng)中實現(xiàn)規(guī)?；涞?。

如今

這一僵局被

來自湖州莫干山高新區(qū)的創(chuàng)新企業(yè)

湖州鎵奧科技有限公司（以下簡稱“鎵奧科技”）打破

“并非靈光一閃，而是一場歷時四年的技術(shù)攻堅戰(zhàn)?！辨墛W科技負責人說。四年里，團隊從概念驗證到工業(yè)級落地，完成了多代柵驅(qū)系統(tǒng)的迭代升級，圍繞雙脈沖測試、寄生抑制、柵壓控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，又歷經(jīng)數(shù)十輪驗證與調(diào)校。正是這些扎實積累，讓鎵奧科技率先在國內(nèi)實現(xiàn)5000W–7000W負壓直驅(qū)GaN功率模塊樣機的穩(wěn)定運行，標志著中國GaN器件在千瓦級高可靠性應用場景中邁出關(guān)鍵一步。

什么是“負壓直驅(qū)”？簡單講，就是在柵極施加負壓偏置，讓器件全程處于剛性關(guān)斷控制。該公司負責人打了個比方：“傳統(tǒng)GaN像匹烈馬，功率一高就容易脫韁；負壓直驅(qū)就是給它套緊韁繩，哪怕全速奔跑也始終聽話?！?/p>

在第八屆莫干山全球高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽中，鎵奧科技的“中大功率氮化鎵芯片及模組”項目一舉奪魁。落地湖州莫干山高新區(qū)后，公司迅速拿到數(shù)千萬元資金并享受配套政策，實現(xiàn)從技術(shù)到產(chǎn)品的快速轉(zhuǎn)化。

鎵奧科技是專注氮化鎵功率器件及其模組研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。團隊掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的“國產(chǎn)替代”中大功率GaN芯片與“國產(chǎn)設(shè)計”中大功率模組，技術(shù)居行業(yè)前列，重點布局人工智能和新能源兩大賽道。

隨著AI與新能源兩大賽道升溫，高功率、高可靠性的GaN器件正成為不可或缺的基礎(chǔ)設(shè)施。鎵奧科技的突破不僅填補了國內(nèi)技術(shù)空白，也為中國在第三代半導體全球競爭中再加一道“加速齒輪”。未來，鎵奧科技將繼續(xù)深耕氮化鎵技術(shù)，加大研發(fā)投入，推出創(chuàng)新產(chǎn)品并拓展新場景。

（圖片來源：德清發(fā)布）