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我國芯片制造核心裝備取得重要突破
2026-01-19 14:15:59
來源:科技日報(bào)  作者: 都芃

記者17日從中核集團(tuán)中國原子能科學(xué)研究院獲悉,由該院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機(jī)(POWER-750H)成功出束,核心指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。這標(biāo)志著我國已全面掌握串列型高能氫離子注入機(jī)的全鏈路研發(fā)技術(shù),攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為推動高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造“四大核心裝備”,是半導(dǎo)體制造不可或缺的“剛需”設(shè)備。長期以來,我國高能氫離子注入機(jī)完全依賴國外進(jìn)口,其研發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高,是制約我國關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展的瓶頸之一。

中國原子能科學(xué)研究院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的深厚積累,以串列加速器技術(shù)作為核心手段,破解一系列難題,完全掌握了串列型高能氫離子注入機(jī)從底層原理到整機(jī)集成的正向設(shè)計(jì)能力,打破了國外企業(yè)在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖和長期壟斷,將有力提升我國在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力,更為助力“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)、加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力提供強(qiáng)有力技術(shù)支撐。

(中核集團(tuán)供圖)

編輯:韓夢晨
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